Intel, bu yıl ASML‘den 0,55 sayısal açıklığa (high NA, Numerical Aperture) sahip aşırı ultraviyole (EUV, extreme ultraviolet) litografi cihazını alan ilk şirket olacak. Intel aynı zamanda şirketin 2024 yılında ürettiği makinelerin çoğunu (10 cihazdan 6’sı) alma ayrıcalığına da sahip olmuş durumda. Intel, ilk Twinscan EXE:5000 tarayıcısını ASML’den almak üzere. Şirket tarayıcıyı, ticari çip üretimi için high NA EUV litografisinin nasıl daha iyi kullanılacağını öğrenmek için kullanmayı planlıyor. Şirket başlangıçta bu cihazı Intel 18A (18 angstrom, 1,8nm) üretim süreci için kullanmayı planlamıştı, ancak bunun yerine high NA araçlarının beklenenden daha sonra gelmesi nedeniyle EUV multi patterning‘i tercih etti.
Şirketin gelecek yıl alacağı ek 6 adet high NA EUV litografi cihazı (Twinscan EXE:5200 tarayıcılar) 2025 ve sonrasında Intel’in 18A veya diğer üretim teknolojileriyle üretilecek çiplerde kullanılacak. Twinscan EXE’nin kullanımı şirketin üretim süreci döngülerini olumlu etkileyebilir, ancak bu makineler çok pahalı olduğundan bunun Intel’in maliyetleri üzerinde olumlu bir etkisinin olup olmayacağını söylemek zor (300 milyon dolar ile 400 milyon dolar arasında olduğu tahmin ediliyor). Karşılaştırma açısından, ASML’nin Twinscan NXE:3600D veya NXE:3800E litografi makineleri 200 milyon dolar fiyata sahip.
Yeni cihazlara erken erişim, Intel’i rakiplerinin önüne geçirebilir
Cihazlara erken erişim, Intel’e high NA cihazların öğrenimi konusunda avantaj sağlayacak. Intel muhtemelen high NA araçlarıyla yüksek hacimli üretim başlatan ilk şirket olacağından, fabrika araç ekosistemi kaçınılmaz olarak cihazın gereksinimlerini takip edecek. Bahsedilen gereklilikler muhtemelen endüstri standartlarına dönüşecek ve bu da Intel’e TSMC ve Samsung gibi rakiplerine karşı stratejik avantajlar sağlayacak.
Ancak Intel’in rakipleri de high NA araçları elde etmenin yollarını arıyor. Samsung’un başkan yardımcısı ve şirketin cihaz çözümleri bölümü başkanı Kyung Kye-hyun, bu hafta şirketin high NA EUV araçlarının tedariki konusunda ASML ile bir anlaşma yaptığını açıklamıştı. Kyung Kye-hyun, “Samsung, high NA teknolojisinde öncelik elde etti. Uzun vadede DRAM bellek yongaları ve mantık yongaları üretimimizde high NA teknolojisinin kullanımını optimize etme fırsatı yarattığımıza inanıyorum.” açıklamalarında bulunmuştu.
